近年,隨著圖像質(zhì)量的提高,色粉直徑也越來越小。在微孔孔徑較大的發(fā)泡輥筒中,純銀靶材生產(chǎn)加工,色粉進入輥筒的微孔內(nèi)不易去除,所以存在圖像混亂的問題。因此,對于使用微細色粉的高畫質(zhì)復印機和打印機用輥筒,純銀靶材回收,特別是色粉供給輥,要求更細的微孔。在制造發(fā)泡輥筒時,與間歇式方法相比,連續(xù)硫化處理法的優(yōu)點是能夠使發(fā)泡微孔的直徑更小。以往的導電輥使用了不會因其中的導電性填充劑的不均勻而導致電阻值不均勻的離子導電性橡膠,但是問題在于很難采用經(jīng)濟上及效率上都有利的連續(xù)硫化法進行制造。







各種類型的濺射薄膜材料在半導體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。20世紀90年代以來,濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展,極大地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。例如,在半導體集成電路制造過程中,以電阻率較低的銅導體薄膜代替鋁膜布線:在平面顯示器產(chǎn)業(yè)中,各種顯示技術(shù)(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發(fā)展,有的已經(jīng)用于電腦及計算機的顯示器制造;在信息存儲產(chǎn)業(yè)中,磁性存儲器的存儲容量不斷增加,新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質(zhì)量提出了越來越高的要求,需求數(shù)量也逐年增加。

熱壓法:ITO靶材的熱壓制作過程是在石墨或氧化鋁制的模具內(nèi)充填入適當粉末以后,以 100kgf/cm 2~1000kgf/cm 2的壓力單軸向加壓,阜陽純銀靶材,同時以1000℃~1600℃進行燒結(jié)。熱壓工藝制作過程所需的成型壓力較小,燒結(jié)溫度較低,燒結(jié)時間較短。但熱壓法生產(chǎn)的ITO靶材由于缺氧率高,氧含量分布不均勻,從而影響了生產(chǎn)ITO薄膜的均勻性,且不能生產(chǎn)大尺寸的靶。


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