EMMI可廣泛應(yīng)用于偵測(cè)各種組件缺陷所產(chǎn)生的漏電流，包括閘極氧化層缺陷(Gate oxide defects)、靜電放電破壞(ESD Failure)、閂鎖效應(yīng)(Latch Up)、漏電(Leakage)、接面漏電(Junction Leakage) 、順向偏壓(Forward Bias)及在飽和區(qū)域操作的晶體管，可藉由EMMI定位，找熱點(diǎn)(Hot Spot 或找亮點(diǎn))位置，精細(xì)研磨設(shè)備價(jià)格，進(jìn)而得知缺陷原因，幫助后續(xù)進(jìn)一步的失效分析。

紅外光顯微鏡是一種利用波長(zhǎng)在800nm到20μm范圍內(nèi)的紅外光作為像的形成者，用來(lái)觀察某些不透明物體的顯微鏡。這種顯微鏡在生物學(xué)中的用途遠(yuǎn)遠(yuǎn)比不上紫外光顯微鏡。在技術(shù)上使用紅外光與使用可見(jiàn)光相比較，差異并不像使用紫外光那樣大。對(duì)于直到波長(zhǎng)為1500nm的紅外光來(lái)說(shuō)，一般的標(biāo)準(zhǔn)物鏡仍然是可以用的。當(dāng)然，在波長(zhǎng)超過(guò)1000nm時(shí)，像的質(zhì)量就開(kāi)始受到損害，這主要是由于球面差。既就是使用專門設(shè)計(jì)用于紅外光的消色差物鏡，在波長(zhǎng)超過(guò)1200nm時(shí)，色差也會(huì)變得明顯起來(lái)。當(dāng)紅外光的波長(zhǎng)達(dá)到3000nm時(shí)，精細(xì)研磨，玻璃就變得不透明了，這時(shí)必須使用象碘化鉈這樣的特殊材料制作透鏡，精細(xì)研磨機(jī)器，但是使用這種材料要制造出在足夠?qū)挼牟ㄩL(zhǎng)范圍內(nèi)的矯正透鏡仍然是困難的。對(duì)于被長(zhǎng)超過(guò)1500nm范圍的紅外光，經(jīng)常使用反射物鏡或反射一折射物鏡。在理論上，在一個(gè)完全的反射顯微鏡中可以用波長(zhǎng)直到20μm的紅外光形成物體的像，然而要制造較高孔徑的反射物鏡卻是相當(dāng)困難的。對(duì)于取決于孔徑的分辨力來(lái)說(shuō)，小孔徑是更大的缺點(diǎn)，而且分辨力會(huì)隨著波長(zhǎng)的增大而相應(yīng)地減小。因此，既就是使用近紅外光，在分辨力上的損失也是十分明顯的。

微光顯微鏡偵測(cè)得到亮點(diǎn)之情況：會(huì)產(chǎn)生亮點(diǎn)的缺陷 - 漏電結(jié)（Junction Leakage）; 接觸毛刺（Contact spiking）; （熱電子效應(yīng)）Hot electr;閂鎖效應(yīng)（ Latch-Up）;氧化層漏電（ Gate oxide defects / Leakage(F-N current)）;多晶硅晶須（Poly-silicon filaments）; 襯底損傷（Substrate damage）; （物理?yè)p傷）Mechanical damage等。原來(lái)就會(huì)有的亮點(diǎn) - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse；biased diodes(break down) 等。

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