區(qū)域提純后的金屬鍺,其錠底表面上的電阻率為30~50歐姆 ?厘米時(shí),純度相當(dāng)于8~9,可以滿足電子器件的要求。但對(duì)于雜質(zhì)濃度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探測(cè)器級(jí)超純鍺,則尚須經(jīng)過特殊處理。

由于鍺中有少數(shù)雜質(zhì)如磷、鋁、硅、硼的分配系數(shù)接近于1或大于1,要加強(qiáng)化學(xué)提純方法除去這些雜質(zhì),然后再進(jìn)行區(qū)熔提純。電子級(jí)純的區(qū)熔鍺錠用霍爾效應(yīng)測(cè)量雜質(zhì)(載流子)濃度,一般可達(dá)10~10原子/厘米。經(jīng)切頭去尾,再利用多次拉晶和切割尾,鞍山銀圓柱靶,一直達(dá)到所要求的純度(10原子/厘米),這樣純度的鍺(相當(dāng)于13)所作的探測(cè)器,其分辨率已接近于理論數(shù)值。






鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當(dāng)工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡(jiǎn)單說的話,哪里有銀圓柱靶,靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料,不同功率密度、不同輸出波形、不同波長(zhǎng)的激光與不同的靶材相互作用時(shí),會(huì)產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應(yīng)。

各種類型的濺射薄膜材料在半導(dǎo)體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用。20世紀(jì)90年代以來,濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展,極大地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。
濺射靶材的要求較傳統(tǒng)材料行業(yè)高,一般要求如,尺寸、平整度、純度、各項(xiàng)雜質(zhì)含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸與缺陷控制;較高要求或特殊要求包含:表面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成份與組織均勻性、異物(氧化物)含量與尺寸、導(dǎo)磁率、超高密度與超細(xì)晶粒等等。磁控濺射鍍膜是一種新型的物相鍍膜方式,就是用電子系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上,使其被濺射出來的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材。 濺射靶材有金屬,合金,陶瓷化合物等。


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