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主營：晶體振蕩器,晶體諧振器,壓控振蕩器
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LC壓控型壓控振蕩器
在任何一種LC振蕩器中，將壓控可變電抗元件插入振蕩回路就可形成LC壓控振蕩器。早期的壓控可變電抗元件是電抗管，后來大都使用變?nèi)荻O管。圖 2是克拉潑型LC壓控振蕩器的原理電路。圖中，T為晶體管，L為回路電感，七專級電壓調(diào)振蕩器單價，C1、C2、Cv為回路電容，電壓調(diào)振蕩器單價，Cv為變?nèi)荻O管反向偏置時呈現(xiàn)出的容量;C1、C2通常比Cv大得多。當(dāng)輸入控制電壓uc改變時，Cv隨之變化，因而改變振蕩頻率。這種壓控振蕩器的輸出頻率與輸入控制電壓之間的關(guān)系為VCO輸出頻率與控制電壓關(guān)系式中C0是零反向偏壓時變?nèi)荻O管的電容量；φ 是變?nèi)荻O管的結(jié)電壓；γ 是結(jié)電容變化指數(shù)。為了得到線性控制特性，可以采取各種補償措施。
DRO系列壓控振蕩器是一種基本的窄帶信號源，它利用高Q介質(zhì)諧振器實現(xiàn)了好的相位噪聲性能。目前，DRO VCO解決方案適用于在7至14 GHz范圍內(nèi)工作的頻率。該可定制的超低噪聲振蕩器系列可提供電氣調(diào)諧和機械調(diào)諧，以實現(xiàn)精細(xì)的頻率精度
CRO或陶瓷諧振器系列振蕩器以提供出色的相位噪聲性。 它們在范圍內(nèi)可用從400 MHz到8 GHz的任何頻率，同時提供非常低的調(diào)諧靈敏度以優(yōu)化性能。
壓控振蕩器優(yōu)點
低相位噪聲：高頻低抖動的LVDS輸出壓控晶振，抖動小于0.6ps(12K~20M)。高頻率輸出:CMOS可達(dá)到245MHz， LVDS高頻率為2.1GHz， HCSL高可到700MHz。經(jīng)常會結(jié)合PLL鎖相電路實現(xiàn)超高頻，七專級電壓調(diào)振蕩器單價，如圖1所示。小尺寸: VCXO尺寸為2.5x2.0mm， CMOS輸出，工作電壓1.8~5.0V， 頻率范圍為4.0~50MHz.低功耗: 電壓可選1.8V。
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第5年
