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北京晶宇興科技有限公司
主營：晶體振蕩器,晶體諧振器,壓控振蕩器
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如何選擇壓控晶體振蕩器？
有源石英晶體振蕩器分為普通振蕩器，溫補振蕩器TCXO，電壓可調(diào)振蕩器原廠，壓控振蕩器VCXO，恒溫振蕩器OCXO等等，從使用數(shù)量來看普通振蕩器和溫補振蕩器可觀，一個代表通用型，一個代表頻率高精度型；而壓控和恒溫市場需求相對較少，但是從選型難易程度看，恒溫雖然代表著更高的技術(shù)要求，很多指標要求從設(shè)計上已經(jīng)達到標準，所以在選擇上相對簡單，而壓控晶振它牽涉到更多的性能指標，不同性能指標其用法及成本均有很大的差異，所以在這里對壓控晶振的選型做相關(guān)的介紹 。
壓控振蕩器性能指標
1.中心頻率是指頻率調(diào)節(jié)范圍的中間值，七專級電壓可調(diào)振蕩器原廠，即振蕩器頻率的大值和小值的中間值，中心頻率的大小取決于振蕩器的結(jié)構(gòu)和元器件參數(shù)，而且還隨著工藝和溫度相應(yīng)改變;隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展和產(chǎn)品性能的調(diào)高，現(xiàn)如今CMOS壓控振蕩器的中心頻率能夠達到10GHz。
2.調(diào)諧范圍是指調(diào)節(jié)輸出頻率的變化范圍，即振蕩器的大調(diào)諧頻率和小調(diào)諧頻率的差值壓控振蕩器要有足夠大的調(diào)諧范圍才能滿足輸出頻率達到所需要的值。
LC壓控型壓控振蕩器
在任何一種LC振蕩器中，將壓控可變電抗元件插入振蕩回路就可形成LC壓控振蕩器。早期的壓控可變電抗元件是電抗管，后來大都使用變?nèi)荻O管。圖 2是克拉潑型LC壓控振蕩器的原理電路。圖中，T為晶體管，L為回路電感，C1、C2、Cv為回路電容，Cv為變?nèi)荻O管反向偏置時呈現(xiàn)出的容量;C1、C2通常比Cv大得多。當輸入控制電壓uc改變時，七專級電壓可調(diào)振蕩器原廠，Cv隨之變化，因而改變振蕩頻率。這種壓控振蕩器的輸出頻率與輸入控制電壓之間的關(guān)系為VCO輸出頻率與控制電壓關(guān)系式中C0是零反向偏壓時變?nèi)荻O管的電容量；φ 是變?nèi)荻O管的結(jié)電壓；γ 是結(jié)電容變化指數(shù)。為了得到線性控制特性，可以采取各種補償措施。
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