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各種類型的濺射薄膜材料在半導體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。20世紀90年代以來,濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展,極大地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。例如,在半導體集成電路制造過程中,以電阻率較低的銅導體薄膜代替鋁膜布線。
在被濺射的靶極(陰極)與陽極之間加一個正交磁場和電場,鞍山金蒸發(fā)鍍靶材,在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣),磁鐵在靶材料表面形成250~350高斯的磁場,同高壓電場組成正交電磁場。

平面顯示器(FPD)這些年來大幅沖擊以陰極射線管(CRT)為主的電腦顯示器及電視機市場,亦將帶動ITO靶材的技術(shù)與市場需求。如今的iTO靶材有兩種.一種是采用納米狀態(tài)的氧化銦混合后燒結(jié),一種是采用銦錫合金靶材。銦錫臺金靶材可以采用直流反應濺射制造ITO薄膜,金蒸發(fā)鍍靶材哪家好,但是靶表面會氧化而影響濺射率,金蒸發(fā)鍍靶材回收,并且不易得到大尺寸的臺金靶材。如今一般采取方法生產(chǎn)ITO靶材,利用L}IRF反應濺射鍍膜.它具有沉積速度快.且能控制膜厚,電導率高,薄膜的一致性好,與基板的附著力強等優(yōu)點。


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