光電光譜分析選用的分析線，必需符合下列要求

直讀光譜分析時(shí)，一般都采用內(nèi)標(biāo)法。因內(nèi)標(biāo)法進(jìn)行分析時(shí)常采用多條分析線和一條內(nèi)標(biāo)線組成，常用試料中的基體元素為內(nèi)標(biāo)元素。組成的線對要求均稱，就是當(dāng)激發(fā)光源有波動(dòng)時(shí)，兩條線對的譜線強(qiáng)度雖有變化，但強(qiáng)度比或相對強(qiáng)度能保持不變。

如R表示強(qiáng)度比即

R=I1/I0

I1為分析線的強(qiáng)度，Io為內(nèi)標(biāo)線強(qiáng)度，表明I1和Io同時(shí)變，而R則不受影響。R與含量C之間有線性關(guān)系。

在光電直讀光譜分析時(shí)，有很多分析通道，要安裝許多內(nèi)標(biāo)通道有困難，因此采用一個(gè)內(nèi)標(biāo)線。但有人認(rèn)為再要提高光電光譜分析的準(zhǔn)確度還得采用不同的內(nèi)標(biāo)線，這還有待于光電轉(zhuǎn)換元件的小型化來解決。

光電法時(shí)，有時(shí)還用內(nèi)標(biāo)線來控制曝光量，稱為自動(dòng)曝光，也就是樣品在曝光時(shí)，分析線和內(nèi)標(biāo)分別向各自積分電容充電，當(dāng)內(nèi)標(biāo)線的積分電容器充電達(dá)到某一預(yù)定的電壓時(shí)，自動(dòng)截止曝光。此時(shí)分析線的積分電容器充電達(dá)到的電壓即代表分析線的強(qiáng)度I，并且亦即代表分析線的強(qiáng)度比R(因?yàn)镽=I1/Io，而此時(shí)Io保持常數(shù))這個(gè)強(qiáng)度I或強(qiáng)度比R就由測光讀數(shù)所表示。

現(xiàn)在一般采用計(jì)時(shí)曝光法較為普遍。

由中國72家鑄造協(xié)會/學(xué)會聯(lián)手打造的第十六屆中國國際鑄造博覽會The

16th China International Foundry Expo (Metal China)于2018年5月16-19日在北京順義新國展博覽中心成功舉辦。展商和觀眾來自中國、德國、美國、巴西、俄羅斯、日本、印度、西班牙等80多個(gè)國際和地區(qū)，展商數(shù)量超過1300家，觀眾超10萬人次。本次展會得到同行業(yè)、學(xué)者及技術(shù)人員的高度評價(jià)。

鋼研納克在本博覽會上集中展示了SparkCCD

6000型全譜火花直讀光譜儀、CSONH氣體分析儀、Plasma 3000型雙向觀測全譜電感耦合等離子體光譜儀、力學(xué)試驗(yàn)機(jī)等分析儀器，吸引了國內(nèi)外眾多參展人員，受到、學(xué)者的一致好評。

直讀光譜儀

干擾效應(yīng)。 ? ?干擾效應(yīng)也稱基體效應(yīng)，手持光譜儀廠家，又稱共存元素、第三元素或伴隨物效應(yīng)，指的是在樣品中除了分析物外所有其他成分的影響，在光譜分析中能引起譜線的強(qiáng)度變化，導(dǎo)致分析結(jié)果產(chǎn)生一些誤差，這種干擾效應(yīng)是光譜分析中需要高度重視的一個(gè)問題。

分析試樣和標(biāo)樣影響。 ? ?在實(shí)際工作中，分析試樣和標(biāo)樣的冶煉過程和物理狀態(tài)存在一定的差異，所以導(dǎo)致校準(zhǔn)曲線經(jīng)常出現(xiàn)變化，一般情況下標(biāo)樣大多處于鍛造和軋制狀態(tài)，分析樣品大多處于澆鑄狀態(tài)，為有效防止試樣的冶金狀態(tài)變化影響檢測分析的結(jié)果，經(jīng)常使用的控制試樣要保證與分析試樣的冶金過程和物理狀態(tài)保持一致，對試樣的分析結(jié)果進(jìn)行準(zhǔn)確的控制。